Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7409
- Nº ref. fabric.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 207,58 € |
| 5 - 9 | 203,42 € |
| 10 - 99 | 188,69 € |
| 100 - 249 | 172,92 € |
| 250 + | 159,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7409
- Nº ref. fabric.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 355 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 355 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor de colector de 1200 V y una corriente de colector dc continua de 75 A. Tiene un diseño de módulo de inductancia de desviación baja. Este módulo IGBT está disponible con bloqueo rápido de trinchera TRENCHSTOP IGBT3, diodo de alta eficiencia controlado por emisor y NTC.
Resistencia térmica
Alta densidad de potencia
Concepto de módulo compacto
Alta densidad de potencia
Concepto de módulo compacto