Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo Panel
- Código RS:
- 273-7408
- Nº ref. fabric.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 273-7408
- Nº ref. fabric.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 100A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 355W | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Altura | 20.5mm | |
| Certificaciones y estándares | EN61140, IEC61140 | |
| Longitud | 122mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 100A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 355W | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Altura 20.5mm | ||
Certificaciones y estándares EN61140, IEC61140 | ||
Longitud 122mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor de colector de 1200 V y una corriente de colector dc continua de 75 A. Tiene un diseño de módulo de inductancia de desviación baja. Este módulo IGBT está disponible con bloqueo rápido de trinchera TRENCHSTOP IGBT3, diodo de alta eficiencia controlado por emisor y NTC.
Resistencia térmica
Alta densidad de potencia
Concepto de módulo compacto
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