Módulo IGBT, FP50R12KE3BOSA1, 75 A, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5835
- Nº ref. fabric.:
- FP50R12KE3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5835
- Nº ref. fabric.:
- FP50R12KE3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 7 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 280 W | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 7 | ||
Disipación de Potencia Máxima 280 W | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor-colector nominal máxima de 1.200 V y una disipación de potencia total de 280 W, así como una tensión de umbral de puerta máxima de 6,5 V.
Aislamiento interno aislamiento básico (clase 1, IEC 61140)
Tensión de pico del emisor de puerta +/- 20 V
Tensión de saturación del emisor-colector 2,30 V
Corriente de fuga del emisor de puerta 400 nA
Tensión de pico del emisor de puerta +/- 20 V
Tensión de saturación del emisor-colector 2,30 V
Corriente de fuga del emisor de puerta 400 nA