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Infineon Módulo IGBT, F475R06W1E3BOMA1, 1200 V 4

Name: Infineon Módulo IGBT, F475R06W1E3BOMA1, 1200 V 4
Brand: Infineon
SKU: 244-5370
Price: 47.63 EUR
Availability: InStock

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Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Módulo IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	1200V
	Número de transistores	4
	Disipación de potencia máxima Pd	275W
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Módulo IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V
	Número de transistores 4
	Disipación de potencia máxima Pd 275W
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

El módulo IGBT Infineon es adecuado para inversores auxiliares, sistemas SAI, calefacción y soldadura inductivas y aplicaciones solares, etc.

Características eléctricas

Pérdidas de conmutación bajas, diseño inductivo bajo

IGBT Trench 3

VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Baja VCEsat

Características mecánicas

Sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica

Diseño compacto

Tecnología de contacto de soldadura

Montaje resistente gracias a las abrazaderas de montaje integradas

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