Infineon Módulo IGBT, F475R06W1E3BOMA1, 1200 V 4
- Código RS:
- 244-5370
- Nº ref. fabric.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 244-5370
- Nº ref. fabric.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 4 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 275W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 4 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 275W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT Infineon es adecuado para inversores auxiliares, sistemas SAI, calefacción y soldadura inductivas y aplicaciones solares, etc.
Características eléctricas
Pérdidas de conmutación bajas, diseño inductivo bajo
IGBT Trench 3
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Baja VCEsat
Características mecánicas
Sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica
Diseño compacto
Tecnología de contacto de soldadura
Montaje resistente gracias a las abrazaderas de montaje integradas