Módulo IGBT, FD150R12RT4HOSA1, 150 A, 1200 V 1
- Código RS:
- 244-5819
- Nº ref. fabric.:
- FD150R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 244-5819
- Nº ref. fabric.:
- FD150R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 790 W | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 790 W | ||
Los módulos IGBT de Infineon con IGBT4 de trinchera/parada de campo rápido y 4 diodos controlados por emisor son la elección correcta para su diseño y son adecuados para aplicaciones típicas como aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, controladores de motor, SAI.
Características eléctricas
Temperatura de funcionamiento ampliada Tvj op
Bajas pérdidas de conmutación
VCEsat baja
Tvj op = 150° C
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Características mecánicas
Placa base aislada
Carcasa estándar
Temperatura de funcionamiento ampliada Tvj op
Bajas pérdidas de conmutación
VCEsat baja
Tvj op = 150° C
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Características mecánicas
Placa base aislada
Carcasa estándar