Infineon Módulo IGBT, FF300R12KT4HOSA1, 450 A, 1.2 kV 2

Este módulo IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia diseñado para conmutar y controlar circuitos dc de alta tensión en sistemas de alimentación industriales. Combina dos transistores en un solo encapsulado para manejar cargas de alta corriente y funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos térmicos exigentes.

• Capacidad de bloqueo de 1200 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de colector continua de 450 A para soportar altas demandas de corriente
• Disipación de potencia máxima de 1600 W para un funcionamiento de alta potencia sostenido
• Vce(sat) bajo de 2,15 V para reducir las pérdidas por conducción
• Valor nominal máximo de emisor de puerta de 20 V para definir límites de accionamiento seguros
• Funciona hasta 175 °C para instalaciones a alta temperatura

• Apto para sistemas de accionamiento de motores de alta tensión
• Ideal para inversores industriales que requieren alta corriente
• Se puede utilizar para etapas de convertidor de energía renovable
• Se utiliza con fuentes de alimentación que necesitan transistores dobles compactos
• Aplicable en entornos de electrónica de potencia de tracción o de uso general

Contiene dos transistores acoplados en un único módulo que permiten disposiciones de conmutación síncronas o complementarias.

Está diseñado para funcionar hasta -40 °C y hasta 175 °C para funcionar en amplios rangos de temperatura.

El límite de emisor de puerta de 20 V define la tensión de accionamiento de puerta máxima permitida y determina la protección de accionamiento de puerta necesaria y el diseño de cambio de nivel.

Los diseñadores deben tener en cuenta un límite de bloqueo de colector-emisor de 1200 V y un techo de disipación de encapsulado de 1600 W al planificar la gestión térmica.