Módulo IGBT, FZ900R12KE4HOSA1, 900 A, 1200 V 1
- Código RS:
- 244-5889
- Nº ref. fabric.:
- FZ900R12KE4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5889
- Nº ref. fabric.:
- FZ900R12KE4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 900 MHZ | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 4,3 kW | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 900 MHZ | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 4,3 kW | ||
El módulo IGBT de Infineon es adecuado para inversores auxiliares, convertidores de alta potencia, accionamientos de motor, accionamientos de tracción, SAI, turbinas eólicas, etc.
Características eléctricas
Temperatura de funcionamiento ampliada Tvj op
Bajas pérdidas de conmutación
VCEsat baja
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Características mecánicas
Aislamiento 4 kV AC 1min
Alta densidad de potencia
Placa base aislada
Carcasa estándar
Temperatura de funcionamiento ampliada Tvj op
Bajas pérdidas de conmutación
VCEsat baja
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Características mecánicas
Aislamiento 4 kV AC 1min
Alta densidad de potencia
Placa base aislada
Carcasa estándar