IGBT, BIDD05N60T, 5 A, 600 V, TO-252 1
- Código RS:
- 253-3499
- Nº ref. fabric.:
- BIDD05N60T
- Fabricante:
- Bourns
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 20/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
0,772 €
(exc. IVA)
0,934 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 2500 + | 0,772 € | 1.930,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 253-3499
- Nº ref. fabric.:
- BIDD05N60T
- Fabricante:
- Bourns
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura mejora la robustez del dispositivo.
600 V, 5 A, VCE (sat) bajo
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Robusto
Conforme con RoHS
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Robusto
Conforme con RoHS
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 5 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30V |
| Número de transistores | 1 |
| Disipación de Potencia Máxima | 82 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-252 |
| Configuración | Diodo simple |