Bourns IGBT, BIDD05N60T, 600 V, TO-252
- Código RS:
- 253-3500
- Nº ref. fabric.:
- BIDD05N60T
- Fabricante:
- Bourns
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- Código RS:
- 253-3500
- Nº ref. fabric.:
- BIDD05N60T
- Fabricante:
- Bourns
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Bourns | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 82W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | BIDD05N60T | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Bourns | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 82W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie BIDD05N60T | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura mejora la robustez del dispositivo.
600 V, 5 A, VCE (sat) bajo
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Robusto
Conforme con RoHS