Infineon IGBT, IGP10N60TXKSA1, 24 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 258-0985
- Nº ref. fabric.:
- IGP10N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,465 € | 2,93 € |
| 20 - 48 | 1,32 € | 2,64 € |
| 50 - 98 | 1,23 € | 2,46 € |
| 100 - 198 | 1,145 € | 2,29 € |
| 200 + | 1,07 € | 2,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0985
- Nº ref. fabric.:
- IGP10N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 24A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC1 | |
| Longitud | 29.95mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 24A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC1 | ||
Longitud 29.95mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Estándar de automoción No | ||
El TRENCHSTOP IGBT3 de 10 A de 600 V de conmutación rígida de Infineon en un encapsulado TO220 conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, gracias a la combinación de concepto de celda de trinchera y parada de campo. La combinación de IGBT con diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. Se alcanza la mayor eficiencia gracias al mejor compromiso entre conmutación y pérdidas de conducción.
Alta robustez, comportamiento de temperatura estable
Emisiones EMI bajas
Carga de puerta baja
Distribución de parámetros muy estrecha
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