Infineon Módulo IGBT, IKP10N60TXKSA1, 24 A, 600 V, TO-220
- Código RS:
- 259-1529
- Nº ref. fabric.:
- IKP10N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 259-1529
- Nº ref. fabric.:
- IKP10N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 24A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 24A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Certificaciones y estándares JEDEC1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El paquete dúo Trenchstop de baja pérdida de Infineon es una tecnología de parada de campo con un diodo HE controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y suave. Se trata de un IGBT3 de 600 V, 10 A de interruptor de trench de conmutación rígida en un encapsulado TO220 con diodo de rueda libre completo, lo que conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, gracias a la combinación de concepto de celda de trench y de parada de campo.
Máxima eficiencia y bajas pérdidas de conmutación y conducción
Cartera completa en 600 V y 1.200 V para mayor flexibilidad de diseño
Alta fiabilidad del dispositivo
Emisiones EMI bajas
Enlaces relacionados
- Módulo transistor IGBT 24 A PG-TO-220-3 3
- Módulo transistor IGBT 90 A PG-TO220-3 3
- Módulo transistor IGBT 80 A PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT 80 A PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT 30 A PG-TO220-3
- Módulo transistor IGBT 80 A PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT PG-TO263-7
- Módulo transistor IGBT 75 A PG-TO247-3 2
