Módulo transistor IGBT, IGP50N60TXKSA1, 90 A, 600 V, PG-TO220-3 3
- Código RS:
- 259-1525
- Nº ref. fabric.:
- IGP50N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 259-1525
- Nº ref. fabric.:
- IGP50N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 90 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 333 W | |
| Número de transistores | 3 | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO220-3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 90 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 333 W | ||
Número de transistores 3 | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO220-3 | ||
El IGBT de baja pérdida de Infineon tiene una capacidad de conmutación paralela sencilla gracias al coeficiente de temperatura positivo en Vcesat. Tiene un comportamiento de alta resistencia y estabilidad de temperatura. Se trata de un diodo controlado por emisor antiparalelo muy suave y de recuperación rápida.
Temperatura de unión máxima de 175 °C
Tiempo de resistencia a cortocircuitos de 5 microsegundos
EMI baja
Carga de puerta baja
Distribución de parámetros muy estrecha
Tiempo de resistencia a cortocircuitos de 5 microsegundos
EMI baja
Carga de puerta baja
Distribución de parámetros muy estrecha