Infineon IGBT de bajas pérdidas, 15 A, 600 V, TO-220
- Código RS:
- 242-0975
- Nº ref. fabric.:
- IGP15N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 242-0975
- Nº ref. fabric.:
- IGP15N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT de bajas pérdidas | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 15A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Longitud | 29.95mm | |
| Anchura | 10.36 mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT de bajas pérdidas | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 15A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Longitud 29.95mm | ||
Anchura 10.36 mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor IGBT de 600 V, 15 A de Infineon tiene una corriente de colector continua máxima de 26 A. La temperatura de unión máxima es de 175 °C. Tiene máxima eficiencia, pérdidas de conmutación y conducción bajas, cartera completa en 600 V y 1200 V para flexibilidad de diseño y alta fiabilidad del dispositivo.
Diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida muy suave
Alta resistencia y comportamiento estable de temperatura
Emisiones EMI bajas
Carga de puerta baja
Distribución de parámetros muy estrecha