IGBT, BSC0923NDIATMA1, N-Canal, PG-TISON-8, 8-Pines

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Código RS:
273-5236
Nº ref. fabric.:
BSC0923NDIATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Tipo de Encapsulado

PG-TISON-8

Configuración

Doble

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

8

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N doble. Está optimizado para un convertidor de bajada de alto rendimiento. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.

Nivel lógico
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Prueba de avalancha al 100 %

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