IGBT, BSC16DN25NS3GATMA1, N-Canal, PG-TDSON-8, 8-Pines
- Código RS:
- 273-5240
- Nº ref. fabric.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,65 €
(exc. IVA)
6,85 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 85 unidad(es) más para enviar a partir del 21 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,13 € | 5,65 € |
| 50 - 495 | 0,944 € | 4,72 € |
| 500 - 995 | 0,808 € | 4,04 € |
| 1000 - 2495 | 0,794 € | 3,97 € |
| 2500 + | 0,774 € | 3,87 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-5240
- Nº ref. fabric.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 62,5 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 62,5 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 8 | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N con una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados. Se trata de una conversión de dc a dc optimizada. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Baja resistencia de encendido
Excelente carga de puerta
Chapado sin plomo
Baja resistencia de encendido
Excelente carga de puerta
