IGBT, BSC16DN25NS3GATMA1, N-Canal, PG-TDSON-8, 8-Pines
- Código RS:
- 273-5239
- Nº ref. fabric.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,683 € | 8.415,00 € |
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- Código RS:
- 273-5239
- Nº ref. fabric.:
- BSC16DN25NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 62,5 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 62,5 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 8 | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N con una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados. Se trata de una conversión de dc a dc optimizada. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Baja resistencia de encendido
Excelente carga de puerta
Chapado sin plomo
Baja resistencia de encendido
Excelente carga de puerta