MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ440N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 18 A, N, PG-TDSON-8 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

1.005,00 €

(exc. IVA)

1.215,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 5000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,201 €1.005,00 €

*precio indicativo

Código RS:
258-7030
Nº ref. fabric.:
BSZ440N10NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS-TM3

Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOS 3 de Infineon ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, este producto logra una reducción del 30 por ciento tanto en Rds on como en FOM.

Excelente rendimiento de conmutación

El RDS más bajo del mundo

Sin halógenos conforme con RoHS

Nivel de protección MSL1 2

Enlaces relacionados