MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC035N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 164 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-141
- Nº ref. fabric.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
8,94 €
(exc. IVA)
10,82 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5000 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,47 € | 8,94 € |
| 20 - 198 | 4,02 € | 8,04 € |
| 200 - 998 | 3,71 € | 7,42 € |
| 1000 - 1998 | 3,44 € | 6,88 € |
| 2000 + | 3,085 € | 6,17 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-141
- Nº ref. fabric.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 164A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 217W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 164A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 217W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este OptiMOS 5 FET Linear 2 de 100 V de Infineon es un MOSFET de nivel normal y canal N diseñado específicamente para aplicaciones de intercambio en caliente, protección de baterías y fusibles electrónicos. Brinda una resistencia muy baja de estado encendido (RDS(on)), lo que ayuda a minimizar las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia. El MOSFET también ofrece una amplia zona de funcionamiento seguro (SOA), lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones operativas. Estas características lo convierten en la elección ideal para aplicaciones que requieren una gestión de potencia robusta, eficiente y fiable.
100 % a prueba de avalancha
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines