MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC035N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 164 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-141
- Nº ref. fabric.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,47 € | 8,94 € |
| 20 - 198 | 4,02 € | 8,04 € |
| 200 - 998 | 3,71 € | 7,42 € |
| 1000 - 1998 | 3,44 € | 6,88 € |
| 2000 + | 3,085 € | 6,17 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-141
- Nº ref. fabric.:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 164A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 217W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 164A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 217W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este OptiMOS 5 FET Linear 2 de 100 V de Infineon es un MOSFET de nivel normal y canal N diseñado específicamente para aplicaciones de intercambio en caliente, protección de baterías y fusibles electrónicos. Brinda una resistencia muy baja de estado encendido (RDS(on)), lo que ayuda a minimizar las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia. El MOSFET también ofrece una amplia zona de funcionamiento seguro (SOA), lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones operativas. Estas características lo convierten en la elección ideal para aplicaciones que requieren una gestión de potencia robusta, eficiente y fiable.
100 % a prueba de avalancha
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
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