IGBT, BSC018NE2LSATMA1, N-Canal, 153 A, 25 V, PG-TDSON-8, 8-Pines
- Código RS:
- 273-5233
- Nº ref. fabric.:
- BSC018NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,459 € | 2.295,00 € |
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- Código RS:
- 273-5233
- Nº ref. fabric.:
- BSC018NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 153 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 25 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 2,5 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 153 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 25 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 2,5 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 8 | ||
El MOSFET Infineon es un MOSFET de canal de 25 V N. Está optimizado para un convertidor de bajada de alto rendimiento. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja
Superior resistencia térmica
Prueba de avalancha al 100 %
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja
Superior resistencia térmica
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