STMicroelectronics IGBT, STGWA25IH135DF2 Colector único, Bidireccional-Canal, 25 A, 1350 V, TO-247, 3 pines 1 Orificio
- Código RS:
- 275-1345
- Nº ref. fabric.:
- STGWA25IH135DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 275-1345
- Nº ref. fabric.:
- STGWA25IH135DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 25A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1350V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Configuración | Colector único | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Bidireccional | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 15.8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 21mm | |
| Longitud | 19.92mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 25A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1350V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Configuración Colector único | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Bidireccional | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 15.8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 21mm | ||
Longitud 19.92mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie IGBT 1350 V IH2 de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada, cuyo rendimiento se optimiza tanto en pérdidas de conducción como de conmutación para una conmutación suave. Se incluye un diodo en vacío con una tensión directa de baja caída. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para cualquier aplicación de conmutación resonante y suave.
Diseñado para conmutación suave
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja
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