Módulo IGBT, SKM200GB176D, N-Canal, 260 A, 1.700 V, SEMITRANS3, 7-Pines Serie

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Código RS:
505-3217
Nº ref. fabric.:
SKM200GB176D
Fabricante:
Semikron Danfoss
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Marca

Semikron Danfoss

Corriente Máxima Continua del Colector

260 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.700 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Configuración

Medio puente doble

Tipo de Encapsulado

SEMITRANS3

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Configuración de transistor

Serie

Dimensiones

106.4 x 61.4 x 30mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Módulos IGBT dobles


Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa


Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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