Módulo IGBT, SKM100GB176D, N-Canal, 125 A, 1700 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie

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Código RS:
905-6172
Nº ref. fabric.:
SKM100GB176D
Fabricante:
Semikron Danfoss
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Marca

Semikron Danfoss

Corriente Máxima Continua del Colector

125 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1700 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

SEMITRANS2

Configuración

Medio puente doble

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Configuración de transistor

Serie

Dimensiones

94 x 34 x 30.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

COO (País de Origen):
SK

Módulos IGBT dobles


Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa

Suministrado con

Equipo de montaje


Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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