IGBT, NGTG15N60S1EG, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 4-Pines

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Código RS:
769-5810
Nº ref. fabric.:
NGTG15N60S1EG
Fabricante:
ON Semiconductor
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Marca

ON Semiconductor

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Dimensiones

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Discretos IGBT, ON Semiconductor


Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.


Discretos IGBT, ON Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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