STMicroelectronics IGBT, STGF15H60DF, Tipo N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
829-7120
Nº ref. fabric.:
STGF15H60DF
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

30A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.4mm

Altura

16.4mm

Anchura

4.6 mm

Certificaciones y estándares

No

Serie

Trench Gate Field Stop

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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