- Código RS:
- 796-5046
- Nº ref. fabric.:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
10 Disponible para entrega en 24/48 horas
30 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,894 €
(exc. IVA)
2,292 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
5 - 20 | 1,894 € | 9,47 € |
25 - 245 | 1,612 € | 8,06 € |
250 - 395 | 1,422 € | 7,11 € |
400 - 795 | 1,232 € | 6,16 € |
800 + | 1,068 € | 5,34 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 796-5046
- Nº ref. fabric.:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 15 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
Disipación de Potencia Máxima | 30 W |
Tipo de Encapsulado | TO-220SIS |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 100kHz |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 10 x 4.5 x 15mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 796-5046
- Nº ref. fabric.:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba