IGBT, FGD3040G2-F085, N-Canal, 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

Código RS:: 807-0767
Nº ref. fabric.:: FGD3040G2-F085
Fabricante:: onsemi

IGBT, FGD3040G2-F085, N-Canal, 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

10,82 €

(exc. IVA)

13,09 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 5 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Disponible(s) 1820 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de enero de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	2,164 €	10,82 €
50 - 95	1,982 €	9,91 €
100 +	1,848 €	9,24 €

*precio indicativo

Código RS:: 807-0767
Nº ref. fabric.:: FGD3040G2-F085
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Corriente Máxima Continua del Colector	41 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor	300 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±10V
	Disipación de Potencia Máxima	150 W
	Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Tipo de Canal	N
	Conteo de Pines	3
	Velocidad de Conmutación	1MHZ
	Configuración de transistor	Simple
	Dimensiones	6.73 x 6.22 x 2.39mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Corriente Máxima Continua del Colector 41 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor 300 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±10V
	Disipación de Potencia Máxima 150 W
	Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252)
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Tipo de Canal N
	Conteo de Pines 3
	Velocidad de Conmutación 1MHZ
	Configuración de transistor Simple
	Dimensiones 6.73 x 6.22 x 2.39mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C

IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor

Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.

Características

• Controlador de puerta nivel lógico
• Protección contra ESD
• Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.

Códigos de producto RS

864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK

864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2

807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK

864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK

864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220

864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2

864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK

807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK

864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2

864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK

Nota

Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C.

Estándares

AEC-Q101

IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.