onsemi AEC-Q101 IGBT de encendido, FGD3040G2-F085, Tipo N-Canal, 41 A, 400 V, TO-252, 3 pines Superficie, 1 MHZ
- Código RS:
- 807-0767
- Nº ref. fabric.:
- FGD3040G2-F085
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 807-0767
- Nº ref. fabric.:
- FGD3040G2-F085
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT de encendido | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 41A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 400V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±10 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK2 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Energía nominal | 300mJ | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT de encendido | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 41A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 400V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±10 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie EcoSPARK2 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Energía nominal 300mJ | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor
Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.
Características
• Controlador de puerta nivel lógico
• Protección contra ESD
• Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Códigos de producto RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK;
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2;
807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK;
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK;
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220;
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2;
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK;
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK;
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2;
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220;
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220;
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Note
Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C.
Standards
AEC-Q101
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