- Código RS:
- 807-8758
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
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Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,996 €
(exc. IVA)
2,415 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
5 - 5 | 1,996 € | 9,98 € |
10 - 95 | 1,682 € | 8,41 € |
100 - 245 | 1,27 € | 6,35 € |
250 - 495 | 1,232 € | 6,16 € |
500 + | 1,076 € | 5,38 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 807-8758
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 21 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 300 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±10V |
Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
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