IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 862-9353P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 95 | 2,452 € |
| 100 - 245 | 1,904 € |
| 250 - 495 | 1,836 € |
| 500 + | 1,688 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 862-9353P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fairchild Semiconductor | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 21 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 450 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±14V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Fairchild Semiconductor | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 21 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 450 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±14V | ||
Disipación de Potencia Máxima 150 W | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.