Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 21 A, 430 V, TO-263, 3 pines Superficie

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Código RS:
166-2084
Nº ref. fabric.:
ISL9V3040S3ST
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Corriente continua máxima de colector Ic

21A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

430V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

EcoSPARK

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Energía nominal

300mJ

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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