IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple

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Código RS:
166-2084
Nº ref. fabric.:
ISL9V3040S3ST
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Corriente Máxima Continua del Colector

21 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

450 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±14V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor



IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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