Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 21 A, 430 V, JEDEC TO-220AB, 3 pines Orificio pasante, 15 μs
- Código RS:
- 862-9359P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040P3
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 10 unidades (suministrado en tubo)*
24,04 €
(exc. IVA)
29,09 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Está siendo descatalogado
- Últimas 1075 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 95 | 2,404 € |
| 100 - 495 | 1,974 € |
| 500 - 995 | 1,662 € |
| 1000 + | 1,464 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 862-9359P
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V3040P3
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fairchild Semiconductor | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 21A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 430V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 15μs | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±10 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Energía nominal | 300mJ | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Fairchild Semiconductor | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 21A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 430V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 15μs | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±10 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie EcoSPARK | ||
Energía nominal 300mJ | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT Tipo N-Canal 430 V 3 pines Orificio pasante,
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT 21 A JEDEC TO-220AB 15 μs
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT 21 A TO-263, 3 pines Superficie
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT Tipo N-Canal 430 V 3 pines Superficie
- MOSFET Fairchild Semiconductor FDP038AN06A0 ID 17 A config. Simple
- MOSFET Fairchild Semiconductor IRF530A ID 14 A config. Simple
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT 46 A TO-263, 3 pines Superficie
- Taiwan Semiconductor Rectificador y diodo Schottky 100 V, JEDEC TO-220AB