MOSFET Fairchild Semiconductor IRF530A, VDSS 100 V, ID 14 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
671-5367
Nº ref. fabric.:
IRF530A
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

14 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

55 W

Configuración de transistor

Simple

Longitud

10.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

27 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.4mm

MOSFET de potencia avanzado, Fairchild Semiconductor


Tecnología resistente a avalanchas
Tecnología de óxido de compuerta resistente
Capacitancia de entrada inferior
Carga de puerta mejorada


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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