MOSFET Fairchild Semiconductor FDP038AN06A0, VDSS 60 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
124-1747
Nº ref. fabric.:
FDP038AN06A0
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Serie

PowerTrench

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

310 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

4.83mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

96 nC a 10 V

Longitud

10.67mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

9.65mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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