onsemi AEC-Q101 IGBT de encendido, Tipo N-Canal, 21 A, 430 V, TO-252, 3 pines Superficie, 1 MHz

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Código RS:
166-2138
Nº ref. fabric.:
ISL9V3040D3ST
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

21A

Tipo de producto

IGBT de encendido

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

430V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.2V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

EcoSPARK

Estándar de automoción

AEC-Q101

Energía nominal

300mJ

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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