IGBT, ISL9V2040D3ST, N-Canal, 10 A, 450 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple

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Código RS:
166-3807
Nº ref. fabric.:
ISL9V2040D3ST
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

10 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

450 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±14V

Disipación de Potencia Máxima

130 W

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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