- Código RS:
- 166-3807
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V2040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 166-3807
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V2040D3ST
- Fabricante:
- onsemi
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 10 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 450 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±14V |
Disipación de Potencia Máxima | 130 W |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
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