onsemi IGBT, Tipo N-Canal, 10 A, 430 V, TO-252, 3 pines Superficie

Ver todo IGBT
No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
Código RS:
166-3807
Nº ref. fabric.:
ISL9V2040D3ST
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

10A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

430V

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

EcoSPARK

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Energía nominal

200mJ

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados