IGBT, ISL9V5036S3ST, N-Canal, 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 166-2051
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V5036S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
1.756,80 €
(exc. IVA)
2.125,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 800 Envío desde el 02 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,196 € | 1.756,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-2051
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V5036S3ST
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fairchild Semiconductor | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 46 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 420 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±14V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 250 W | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Fairchild Semiconductor | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 46 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 420 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±14V | ||
Disipación de Potencia Máxima 250 W | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.