IGBT, STGWT60H65DFB, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 829-4666
- Nº ref. fabric.:
- STGWT60H65DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Precio Unidad
4,33 €
(exc. IVA)
5,24 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 4,33 € |
| 5 - 9 | 4,11 € |
| 10 - 24 | 3,70 € |
| 25 - 49 | 3,33 € |
| 50 + | 3,17 € |
- Código RS:
- 829-4666
- Nº ref. fabric.:
- STGWT60H65DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-3P |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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