IGBT, FGA30N120FTDTU, N-Canal, 60 A, 1.200 V, TO-3PN, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 864-8776
- Nº ref. fabric.:
- FGA30N120FTDTU
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 864-8776
- Nº ref. fabric.:
- FGA30N120FTDTU
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 339 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PN | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±25V | ||
Disipación de Potencia Máxima 339 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-3PN | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.