IGBT, STGF10NB60SD, N-Canal, 23 A, 600 V, TO-220FP, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 877-2873
- Nº ref. fabric.:
- STGF10NB60SD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 100 - 240 | 1,22 € | 12,20 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 877-2873
- Nº ref. fabric.:
- STGF10NB60SD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 23 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 25 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.4 x 4.6 x 20mm | |
| Energía nominal | 8mJ | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Capacitancia de puerta | 610pF | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 23 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 25 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.4 x 4.6 x 20mm | ||
Energía nominal 8mJ | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Capacitancia de puerta 610pF | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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