Infineon IGBT, IKW20N60H3FKSA1, Tipo N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 100 kHz

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Código RS:
892-2197
Nº ref. fabric.:
IKW20N60H3FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

100kHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

TrenchStop

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC

Energía nominal

1.07mJ

Estándar de automoción

No

IGBT Infineon, corriente de colector continua máxima de 40 A, tensión de emisor de colector máxima de 600 V - IKW20N60H3FKSA1


Este módulo IGBT está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en el sector de la electrónica de potencia. El dispositivo se ajusta a las especificaciones del encapsulado TO-247 IGBT y mide 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Con una tensión máxima de colector-emisor de 600 V y una corriente continua de colector de 40 A, resulta eficaz para diversas aplicaciones exigentes en los sectores eléctrico y mecánico.

Características y ventajas


• Utiliza la tecnología TRENCHSTOP, que ofrece un bajo VCEsat

• Alcanza una temperatura de unión máxima de 175°C para un rendimiento robusto

• Incorpora un diodo antiparalelo suave y de rápida recuperación que mejora la fiabilidad

• Garantiza una velocidad de conmutación de 100 kHz para un funcionamiento eficaz

Aplicaciones


• Utilizados en sistemas de alimentación ininterrumpida para un funcionamiento fiable

• Eficaz en convertidores de soldadura para soldaduras de alto rendimiento

• Adecuado para convertidores con elevados requisitos de frecuencia de conmutación

¿Cuáles son las características de resistencia térmica de este módulo?


La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,88 K/W, mientras que la resistencia térmica del diodo de la unión a la carcasa es de 1,89 K/W, lo que garantiza una disipación eficaz del calor en entornos exigentes.

¿Cómo gestiona el IGBT los cortocircuitos y la disipación de potencia?


Admite una corriente de colector pulsada de hasta 80 A y una capacidad de disipación de potencia de 170 W, lo que permite un rendimiento sólido en condiciones de cortocircuito. El dispositivo puede soportar hasta 1000 cortocircuitos con un tiempo de funcionamiento seguro de 5μs.

¿Qué importancia tiene la capacitancia de puerta en este IGBT?


La capacitancia de puerta de 1100pF contribuye al control eficaz de la tensión puerta-emisor, lo que permite optimizar las características de conmutación y reducir las pérdidas de energía durante el funcionamiento.

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