STMicroelectronics IGBT, STGP10M65DF2, N-Canal, 20 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 906-2795
- Nº ref. fabric.:
- STGP10M65DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (5 unidades, en pack de 5)*
6,48 €
(exc. IVA)
7,84 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,296 € | 6,48 € |
| 25 - 45 | 1,234 € | 6,17 € |
| 50 - 120 | 1,106 € | 5,53 € |
| 125 - 245 | 0,998 € | 4,99 € |
| 250 + | 0,97 € | 4,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 906-2795
- Nº ref. fabric.:
- STGP10M65DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 20A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 20A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- STMicroelectronics IGBT N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT 650 V 3 pines Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT N-Canal TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 10.8 A TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 74 A TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 30 A TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 62 A TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 34 A TO-220, 3 pines Orificio pasante