JFET, TF412ST5G, N-Canal, 30 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 163-0319
- Nº ref. fabric.:
- TF412ST5G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 163-0319
- Nº ref. fabric.:
- TF412ST5G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 1.2 to 3mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | -30V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-883 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Drenador-Fuente | 4pF | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 4pF | |
| Dimensiones | 1.08 x 0.68 x 0.41mm | |
| Disipación de Potencia Máxima | 100 mW | |
| Ancho | 0.68mm | |
| Altura | 0.41mm | |
| Longitud | 1.08mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 1.2 to 3mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador -30V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-883 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Drenador-Fuente 4pF | ||
Capacidad Fuente-Puerta 4pF | ||
Dimensiones 1.08 x 0.68 x 0.41mm | ||
Disipación de Potencia Máxima 100 mW | ||
Ancho 0.68mm | ||
Altura 0.41mm | ||
Longitud 1.08mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
- COO (País de Origen):
- MY
JFET de canal N, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)