AEC-Q100 FRAM Infineon FM24V02A-G, 8 pines, SOIC, 256 kB, 32K x 8 Bit, 450 ns, 3.6 V, 2 V

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Código RS:
124-2983
Nº ref. fabric.:
FM24V02A-G
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

256kB

Tipo de producto

FRAM

Organización

32K x 8 Bit

Ancho del bus de datos

8bit

Tiempo de acceso aleatorio máximo

450ns

Frecuencia del reloj máxima

3.4MHz

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Anchura

3.98 mm

Longitud

4.97mm

Altura

1.38mm

Certificaciones y estándares

No

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2V

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de palabras

32k

FRAM, Cypress Semiconductor


La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)


FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

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