Memoria FRAM Infineon FM22L16-55-TG, 44 pines, TSOP, Paralelo, 4Mbit, 256K x 16 bits, 55ns, 2,7 V a 3,6 V
- Código RS:
- 125-4206
- Nº ref. fabric.:
- FM22L16-55-TG
- Fabricante:
- Infineon
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Añadido
Precio Unidad
31,99 €
(exc. IVA)
38,71 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
1 - 9 | 31,99 € |
10 - 49 | 29,67 € |
50 - 99 | 27,88 € |
100 - 499 | 25,80 € |
500 + | 25,15 € |
- Código RS:
- 125-4206
- Nº ref. fabric.:
- FM22L16-55-TG
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 4Mbit |
Organización | 256K x 16 bits |
Tipo de Interfaz | Paralelo |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 55ns |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | TSOP |
Conteo de Pines | 44 |
Dimensiones | 18.51 x 10.26 x 1.04mm |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Número de Bits de Palabra | 16bit |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
Número de Palabras | 256K |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
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