AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, SPI, 2 MB, 256K x 8 bits, 9 ns, 1.89V, 1.71 V
- Código RS:
- 188-3437
- Nº ref. fabric.:
- CY15V102QN-50SXE
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 94 - 94 | 17,959 € | 1.688,15 € |
| 188 - 188 | 17,492 € | 1.644,25 € |
| 282 + | 17,043 € | 1.602,04 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-3437
- Nº ref. fabric.:
- CY15V102QN-50SXE
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 2MB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 256K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 9ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Altura | 1.78mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Número de palabras | 256K | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.89V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.71V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 2MB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 256K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 9ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Longitud 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.3mm | ||
Altura 1.78mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Número de palabras 256K | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Tensión de alimentación máxima 1.89V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 1.71V | ||
2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 256K x 8
Virtually unlimited endurance of 10 trillion (1013) read/write cycles
121-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 50 MHz frequency
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable (WRDI) instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Device ID and Serial Number
Device ID includes manufacturer ID and product ID
Unique ID
Serial Number
Dedicated 256-byte special sector F-RAM
Dedicated special sector write and read
Stored content can survive up to 3 standard reflow soldering cycles
Low-power consumption
3.7 mA (typ) active current at 40 MHz
2.7 μA (typ) standby current
1.1 μA (typ) Deep Power Down mode current
0.1 μA (typ) Hibernate mode current
Low-voltage operation:
CY15V102QN: VDD = 1.71 V to 1.89 V
CY15B102QN: VDD = 1.8 V to 3.6 V
Automotive operating temperature: -40 °C to +125 °C
AEC-Q100 Grade 1 compliant
8-pin Small Outline Integrated Circuit (SOIC) package
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