AEC-Q100 FRAM Infineon FM24C04B-G, 8 pines, SOIC, Serie I2C (2 cables), 4 kB, 512 x 8 bits, 3000 ns
- Código RS:
- 188-5395
- Nº ref. fabric.:
- FM24C04B-G
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 188-5395
- Nº ref. fabric.:
- FM24C04B-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 4kB | |
| Organización | 512 x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie I2C (2 cables) | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 3000ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Longitud | 4.97mm | |
| Anchura | 3.98mm | |
| Altura | 1.48mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 512 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 4kB | ||
Organización 512 x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie I2C (2 cables) | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 3000ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Longitud 4.97mm | ||
Anchura 3.98mm | ||
Altura 1.48mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 512 | ||
- COO (País de Origen):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) es de bajo consumo y tiene la máxima fiabilidad de la RAM no volátil para interfaces serie y paralelas. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y cuentan con la certificación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Velocidad de escritura rápida
Alta resistencia
Bajo consumo de energía
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar datos. Con características de dispositivos ROM y RAM, la F-RAM dispone de acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no volatilidad y excelente resistencia a manipulaciones. Por lo tanto, es una memoria ideal para usar en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como teléfonos móviles y otros dispositivos.
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