AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24C04B-GTR, 8 pines, SOIC, I2C, 4kbit, 512 x 8, 10ns, 4,5 V a 5,5 V

Cypress Semiconductor FM24C04B es una memoria no volátil de 4 Kbits que emplea un Advanced ferroelectric Process. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles.

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4 Kbits (F-RAM) organizada lógicamente como 512 x 8
Alta resistencia de 100 billones (1014) de lectura/escritura
conservación de datos a 151 años
NODELAY™ escribe
Proceso ferroeléctrico Advanced de alta fiabilidad