AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, 4 kB, 512 x 8 bits, 10 ns, 5.5V, 4.5 V
- Código RS:
- 215-5778
- Nº ref. fabric.:
- FM24C04B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-5778
- Nº ref. fabric.:
- FM24C04B-GTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 4kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 512 x 8 bits | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 10ns | |
| Frecuencia del reloj máxima | 1MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Longitud | 4.97mm | |
| Anchura | 3.98mm | |
| Altura | 1.48mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Número de palabras | 512 | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 4kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 512 x 8 bits | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 10ns | ||
Frecuencia del reloj máxima 1MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Longitud 4.97mm | ||
Anchura 3.98mm | ||
Altura 1.48mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Número de palabras 512 | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Cypress Semiconductor FM24C04B es una memoria no volátil de 4 Kbits que emplea un Advanced ferroelectric Process. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles.
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4 Kbits (F-RAM) organizada lógicamente como 512 x 8
Alta resistencia de 100 billones (1014) de lectura/escritura
conservación de datos a 151 años
NODELAY™ escribe
Proceso ferroeléctrico Advanced de alta fiabilidad
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