Nº ref. fabric.

AEC-Q100 FRAM Infineon FM25C160B-GTR, 8 pines, SOIC, SPI, 16 kB, 2K x 8 bits, 5 ns, 5.5V, 4.5 V

Código RS:: 215-5781
Nº ref. fabric.:: FM25C160B-GTR
Fabricante:: Infineon

AEC-Q100 FRAM Infineon FM25C160B-GTR, 8 pines, SOIC, SPI, 16 kB, 2K x 8 bits, 5 ns, 5.5V, 4.5 V

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Código RS:: 215-5781
Nº ref. fabric.:: FM25C160B-GTR
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tamaño de la memoria	16kB
	Tipo de producto	FRAM
	Organización	2K x 8 bits
	Tipo de interfaz	SPI
	Ancho del bus de datos	8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	5ns
	Frecuencia del reloj máxima	20MHZ
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3.98mm
	Longitud	4.97mm
	Altura	1.38mm
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Número de bits por palabra	8
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Número de palabras	2
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión de alimentación mínima	4.5V
	Tensión de alimentación máxima	5.5V

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tamaño de la memoria 16kB
	Tipo de producto FRAM
	Organización 2K x 8 bits
	Tipo de interfaz SPI
	Ancho del bus de datos 8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ns
	Frecuencia del reloj máxima 20MHZ
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3.98mm
	Longitud 4.97mm
	Altura 1.38mm
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Número de bits por palabra 8
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Número de palabras 2
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión de alimentación mínima 4.5V
	Tensión de alimentación máxima 5.5V

Datasheet - FM25C160B-GTR

Cypress Semiconductor FM25C160B es una memoria no volátil de 16 Kbits que emplea un Advanced ferroelectric Process. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad del nivel del sistema causados por memorias flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 16 Kbits (F-RAM) organizada lógicamente como 2K x 8

Alta resistencia de 100 billones (1014) de lectura/escritura

conservación de datos a 151 años

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