FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, SPI, 4 MB, 3.6V, 1.8 V
- Código RS:
- 266-8508P
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 10 unidades (suministrado en tubo)*
187,30 €
(exc. IVA)
226,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 106 unidad(es) más para enviar a partir del 24 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 99 | 18,73 € |
| 100 + | 18,51 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 266-8508P
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 4MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Número de palabras | 512K | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.8V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 4MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Número de palabras 512K | ||
Tensión de alimentación mínima 1.8V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Estándar de automoción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
- COO (País de Origen):
- US
La memoria RAM ferroeléctrica de Infineon no es volátil y realiza operaciones de lectura y escritura similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles.
RAM de sector especial F de 256 bytes dedicada
Esquema sofisticado de protección de escritura
Interfaz de periféricos serie rápida
Bajo consumo de potencia
Funcionamiento de baja tensión
Enlaces relacionados
- FRAM Infineon CY15B104QN-50SXI SOIC 4 MB 1.8 V
- FRAM Infineon CY15B102QN-50SXI SOIC 2 MB 3.6V, 3 V
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor CY15B104QN-50SXI SOIC 4Mbit 450 (Minimum)μs,
- FRAM Infineon SOIC 2 MB 3.6V, 3 V
- AEC-Q100 Grado 3 FRAM Infineon CY15B104QN-50SXA SOIC-8 4 MB 3.6V, 1.71 V
- AEC-Q100 Grado 3 FRAM Infineon SOIC-8 4 MB 3.6V, 1.71 V
- FRAM Infineon SOIC 4 MB 1.71 V
- FRAM Infineon CY15V104QSN-108SXI SOIC 4 MB 1.71 V