FRAM Infineon CY15B104QN-50SXI, 8 pines, SOIC, SPI, 4 MB, 512k x 8, 3.6 V, 1.8 V
- Código RS:
- 266-8508P
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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| 250 - 349 | 13,11 € |
| 350 + | 11,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 266-8508P
- Nº ref. fabric.:
- CY15B104QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 4MB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de palabras | 512K | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.8V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 4MB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de palabras 512K | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 1.8V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
- COO (País de Origen):
- US
La memoria RAM ferroeléctrica de Infineon no es volátil y realiza operaciones de lectura y escritura similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles.
RAM de sector especial F de 256 bytes dedicada
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Bajo consumo de potencia
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