FRAM Infineon CY15B104QSN-108SXI, 8 pines, SOIC, QSPI, 4 MB, 512K x 8 bits, 3.6V, 1.80 V

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Código RS:
273-5265
Nº ref. fabric.:
CY15B104QSN-108SXI
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

FRAM

Tamaño de la memoria

4MB

Organización

512K x 8 bits

Tipo de interfaz

QSPI

Ancho del bus de datos

8bit

Frecuencia del reloj máxima

108MHZ

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación mínima

1.80V

Número de palabras

512K

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Estándar de automoción

No

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

La memoria FRAM de Infineon es una memoria no volátil de alto rendimiento de 4 Mbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por el flash serie y otras memorias no volátiles.

Conforme a RoHS

Funcionamiento de baja tensión

Protección de bloque de software

Protocolos SPI de interfaz de bus serie

Bajo consumo de potencia a alta velocidad

Interfaz periférica serie de E/S única y múltiple

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