Memoria FRAM Infineon FM24VN10-G, 8 pines, SOIC, Serie I2C, 1Mbit, 128K x 8

La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 1 Mbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, las sobrecargas y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de transmitir datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.

Conformidad con RoHS
Bajo consumo de potencia
Interfaz serial rápida de 2 cables
Alta resistencia con 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad